日益成熟的半導(dǎo)體工藝技術(shù)和同步高良率目標不僅需要改進晶圓加工設(shè)備和操作參數(shù)，而且對潔凈中可能存在的氣態(tài)分子污染物（AMC）的監(jiān)測和控制也提出了越來越高的要求。隨著半導(dǎo)體制造工藝接近摩爾極限：納米（nm）蝕刻尺寸和更高密度的晶體管密度，潔凈室空氣中的各種“雜項”分子如果沉積在晶圓表面上可能會影響工藝效果。同時，由于現(xiàn)代技術(shù)的復(fù)雜性和工序多，這些影響會不斷地傳遞和放大，最終體現(xiàn)在晶圓良率上。

 

　　也就是說，AMC監(jiān)測技術(shù)也需要跟上半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進步和追求。根據(jù)文獻報道和相關(guān)研究，為了盡量減少AMC對工藝良率的影響，潔凈室關(guān)鍵AMC濃度需要控制在萬億級（pptv）。在實現(xiàn)高靈敏度的同時，快速響應(yīng)也是一項重要指標，以提高樣品測量通量，并在AMC濃度異常時盡快報警，避免或減少對工藝和晶圓的負面影響屈服。

　　AMC監(jiān)測可覆蓋幾大類AMC，同時獲得秒響應(yīng)和pptv檢出限。高分辨率TOF飛行時間質(zhì)譜的匹配全譜記錄使vocusciTOF具備數(shù)據(jù)回溯分析的功能，這在半導(dǎo)體需要控制AMC類型不斷擴展的前提下尤為重要。

　　AMC監(jiān)測針對不同半導(dǎo)體環(huán)境中各類AMC的實時、高靈敏度、高精度監(jiān)控案例的革命性解決方案。儀器軟硬件集成度高，運維成本極低，未來派上用場的高機動性，可以解決現(xiàn)有市場上其他儀器的諸多痛點，也為業(yè)主提供投資回報在提高整體良率、AMC事件預(yù)警、實時故障排除以及后續(xù)案例分析總結(jié)等方面。